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查看：2055MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容CGS）的充放电过程；当CGS达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，VDS开始下降，ID开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，VGS会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而VDS还在继续下降，直到米勒电容充满电，VGS又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时VDS彻底降下来，开通结束。
由于米勒电容阻止了VGS的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（VGS上升，则导通电阻下降，从而VDS下降）
米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容CGD储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。（MOS管不能很快得进入开关状态）
所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择MOS时，CGD越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。
用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。
米勒平台形成的详细过程
米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，原理如下。
理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1 CIESS的电容值是有好处的。
下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。
删荷系数的这张图 在第一个转折点处：VDS开始导通。VDS的变化通过CGD和驱动源的内阻形成一个微分。因为VDS近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在VGS处产生一个平台。
米勒平台是由于MOS的GD两端的电容引起的，即MOS datasheet里的CRSS 。
这个过程是给CGD充电，所以VGS变化很小，当CGD充到VGS水平的时候，VGS才开始继续上升。
CGD在mos刚开通的时候，通过MOS快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得CGS上的电压上升变缓，出现平台。
t0~t1: VGS from 0 to VTHMosfet没通电流由寄生二极管Df
t1~t2: VGS from VTH to Va ID
t2~t3: VDS下降.引起电流继续通过CGD. VDD越高越需要的时间越长
IG为驱动电流
开始降的比较快.当VDG接近为零时,CGD增加直到VDG变负,CGD增加到最大IG下降变慢
t3~t4: MOSFET 完全导通,运行在电阻区VGS继续上升到VGG
平台后期，VGS继续增大，IDS是变化很小，那是因为MOS饱和了，但是，从楼主的图中，这个平台还是有一段长度的
这个平台期间，可以认为是MOS 正处在放大期
前一个拐点前：MOS 截止期，此时CGS充电，VGS向VTH逼进
前一个拐点处：MOS 正式进入放大期
后一个拐点处：MOS 正式退出放大期，开始进入饱和期
当斜率为dt 的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压)，将会增大电容内的电流：
I=C×dV/dt （1）
因此，向MOSFET施加电压时，将产生输入电流IGATE = I1 + I2，如下图所示
在右侧电压节点上利用式(1)，可得到：
I1=CGD×d(VGS-VDS)/dt=CGD×(dVgs/dt-dVds/dt) （2）
I2=CGS×d(VGS/dt) （3）
如果在MOSFET上施加栅-源电压Vgs，其漏-源电压Vds 就会下降(即使是呈非线性下降)。因此，可以将连接这两个电压的负增益定义为：
Av=- VDS/VGS （4）
将式(4)代入式(2)中，可得：
I1=CGD×（1+Av）dVgs/dt （5）
在转换(导通或关断)过程中，栅-源极的总等效电容Ceq为：
IGATE=I1+I2=(CGD×(1+Av)+CGS)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt （6）
式中(1+Av)这一项被称作米勒效应，它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应。
CDS分流最厉害的阶段是在放大区。为啥？ 因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为：门电流IGATE完全被CDS吸走，而没有电流流向CGS
注意数据手册中的表示方法：
CISS=CGS+CGD
COSS=CDS+CGD
CRSS=CGD
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